بهینه سازی عملکرد ترانزیستور JLT با استفاده از منطق فازی

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 725

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE06_307

تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394

چکیده مقاله:

هدف اصلی در این پروژه شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان junctionless تک گیت و بهینه سازی آن می باشد. junctionless یا به اختصار (JLT) شامل لایه های نیمه هادی و یک گیت دی الکتریکی می باشد که روی لایه های نیمه هادی شکل یافته است. گیت رسانا بر روی گیت دی الکتریک تشکیل شده و محدوده ناحیه فعال در لایه نیمه هادی زیر گیت دی الکتریکی قرار دارد. در این پروژه سعی بر بهینه سازی عرض کانال و ولتاژ کاری این نوع ترانزیستور توسط تکنیک منطق فازی شده است.

نویسندگان

غلامرضا پرچمی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران

مجتبی مروجی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران

محمدهادی شاهرخ آبادی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • دکتر آرش دهزنگی وی‌ژه نامه ای‌سم (نانو الکترونی‌ک) صفحه 10 ...
  • Moore , Gordon E. "Cramming more components onto integrated circuits." ...
  • J. P. Colinge, C. W. Lee, A. Afzalian, N. D ...
  • S. J. Fonash, M. M. Iqbal, F. Udrea , and ...
  • Ionescu AM. Electronic devices: nanowire transistors made easy. Nat Nanotechnol ...
  • Jeon D-Y, Park SJ, Mouis M, Berthome M, Barraud S, ...
  • Barraud S , Berthome M, Coquand R, Casse M, Ernst ...
  • Schroder DK. Semiconductor material and device c haracterization _ Wiley-IEEE ...
  • نمایش کامل مراجع