بررسی عملکرد نانو ذرات ترانزیستور های اثر میدانی با فسفر سیاه

کریستال های دوبعدی، بعنوان موادی پا به عرصه گذاشته اند که می توانند فناوری های الکترونیکی آتی را تحت تاثیر قرار دهند و به این علت تشخیص آزمایشی و توصیف مواد دوبعدی کاربردی جدید، کاری ارزشمند است. در این مقاله به بررسی ساخت ترانزیستورهای اثر – میدانی(FET)بر اساس کریستال های فسفر سیاه چندلایه ای - با ضخامت چند نانومتر-پرداخته می شود.از عملکرد ترانزیستور برای نمونه های باریکتر از 7.5 نانومتر در دمای اتاق مشاهده می شود که در انها جریان مدولاسیون درین درحد 10^5 می باشد و جریان اشباع در مشخصه I-V بهتر شده است. قابلیت حرکت حامل بار، وابسته به ضخامت لایه است و بالاترین مقدارش 1000cm^2/ V. S می باشد که به ازای ضخامت 10 نانومتری حاصل میشود. بررسی ها نشان میدهد کریستالهای نازک فسفر سیاه بعنوان موادی دو بعدی برای کاربردهای در وسایل نانوالکترونیک، توانایی ویژه ای دارند

کلیدواژه ها:

فسفر سیاه ، کریستال های دوبعدی ، نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور