بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن

در این مقاله ویژگی های نوری سیلیسن دو بعدی بر اساس تئوری تابع چگالی مورد بررسی قرار داده شد. نتایج در مورد محاسبات مشخصه پاسخ نوری نشان می دهند که ان ها به شدت به جهت مسیر قطبیت نور بستگی دارند. بنابراین طیف های جذب نوری برای نور قطبی شده به صورت موازی و عمود بر سطح سیلیسن متفاوت می باشند.طیف های جذب نوری سیلیسن دارای دو پیک عمده می باشند : 1)پیک تند در 1.74ev را بواسطه انتقال از حالات π به 2π) پیک گسترده در حوزه ev10-4 (بواسطه تحریک حالات δ تا باندهای هدایت) تاثیر میدان الکتریکی ایستاتیک متقاطع خارجی را روی ویژگی های نوری سیلیسن مورد بررسی گرفت .ابتدا با میدان الکتریکی مشاهده شد که شکاف باند را می توان در سیلیسن در سطح فرمی با شکستن تقارن معکوس افزایش داد. تغییرات قابل ملاحظه ای را در جذب نوری بواسطه باز شدن شکاف باند مشاهده شد

کلیدواژه ها:

سیلیسن ، نوری ، طیف جذب ، میدان الکتریکی