شبیه سازی رفتار الکترونیکی نانوسیمهای ZnO با روش اجزای متناهی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 411

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICESCON02_009

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله، جهت مطالعه و تحلیل نانو سیم های ZnO ، معادله شرودینگر در نانو سیم های مذکور با استفاده از روش اجزای متناهی در فضای دو بعدی حل شده است. برای این منظور نانو سیم ها را استوانه ای و دو بعدی فرض نموده و برای آنها گسسته سازی متناسب با روش بکار رفته در مقاله انجام میپذیرد. پس از حل معادله در عناصر مذکور قادر به استخراج ماتریس همیلتونی شده و سپس محاسبه مقادیر ویژه، سطوح انرژی از روی ماتریس همیلتونی برای آنها مشخص میگردد. نتایج شبیه سازی نشان میدهد پهنای باند انرژی از مقدار 3/37 eV شروع شده و در حالت بالک به مقدار eV0/7 خواهد رسید. همچنین ملاحظه میشود که با افزایش قطر نانو سیم ها رفتار آنها شبیه به حالت بالک میشود که این موضوع با بسیاری از شبیه سازی های دیگر منطبق است. با استفاده از مقادیر می توان به مطالعه و بررسی خواص الکترونیکی و نوری نانو سیم ها پرداخت.

نویسندگان

زهرا کوزه گر کالجی

دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری

سید صالح قریشی

عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

شهریار تمندانی

عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری