شبیه سازی رفتار الکترونیکی نانوسیمهای ZnO با روش اجزای متناهی
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 411
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_009
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، جهت مطالعه و تحلیل نانو سیم های ZnO ، معادله شرودینگر در نانو سیم های مذکور با استفاده از روش اجزای متناهی در فضای دو بعدی حل شده است. برای این منظور نانو سیم ها را استوانه ای و دو بعدی فرض نموده و برای آنها گسسته سازی متناسب با روش بکار رفته در مقاله انجام میپذیرد. پس از حل معادله در عناصر مذکور قادر به استخراج ماتریس همیلتونی شده و سپس محاسبه مقادیر ویژه، سطوح انرژی از روی ماتریس همیلتونی برای آنها مشخص میگردد. نتایج شبیه سازی نشان میدهد پهنای باند انرژی از مقدار 3/37 eV شروع شده و در حالت بالک به مقدار eV0/7 خواهد رسید. همچنین ملاحظه میشود که با افزایش قطر نانو سیم ها رفتار آنها شبیه به حالت بالک میشود که این موضوع با بسیاری از شبیه سازی های دیگر منطبق است. با استفاده از مقادیر می توان به مطالعه و بررسی خواص الکترونیکی و نوری نانو سیم ها پرداخت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا کوزه گر کالجی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
سید صالح قریشی
عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
شهریار تمندانی
عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری