بهبود عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS با افزودن لایه InGaAsP
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 551
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_153
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختارCu In1-xGax Se می پردازیم ،سلول خورشیدی CIGS شامل لایه های ZnO (لایه TCO) CD-S (لایه بافر) GIGS (لایه جاذب) و لایه MO (زیر لایه) می باشد که لایه CIGS و Cd_S تشکیل یک پیوندPN می دهند. سپس با استفاده از نرم افزارSILVACO سلول خورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده و با اضافه کردن یک لایه InGaAsP با ناخالصی نوع P اثر آن بر روی عملکرد سلول را مورد بحث و بررسی قرار داده خواهد شد. پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژ مدار بازVOC جریان اتصال کوتاه ISC ماکزیمم توان Pmax عامل پر کننده FF و راندمان Efficiency می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده وبا اضافه کردن یک لایه InGaAsP به این نتیجه رسیدیم که اضافه کردن این لایه بر عملکرد سلول تاثیر محسوسی دارد و باعث افزایش راندمان ، ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه و توان سلول می شود
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هاشم فیروزی
دانشجوی ارشد مهندسی برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن ایمانیه
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :