Simulation of Inverter Circuits with Active Load Using Top-Contact Pentacene Thin Film Transistor
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,319
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_002
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
This paper presents the Simulation of Inverter with Active Load Using Top-Contact Pentacene Thin Film Transistor (TCPTFT) that modelling TCPTFT based onexperimental data using artificial neutral networks (ANN). In this paper for simulating this circuit with HSPICE software we used the proposed ANN model. Simulation result shows a veryhigh accuracy in comparison with the manufactured transistor. Due to its high accuracy and lower computational cost compared to the previous studies this model can be used in circuit simulators such as HSPICE
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohsen Hayati
Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Tagh-E-Bostan, Kermanshah
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :