حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 815
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_107
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله معادله بولتزمن درGaAs را با استفاده از مدل رانش- نفوذ به صورت عددی حل میکنیم. ابتدا روابط حاکم در افزاره را با کمک روش تفاضل محدود گسسته می- کنیم. سپس به ازای تابش و جذب نور در افزاره و با کمک روش نیوتن- رافسون توزیعحاملهای الکتریکی و پتانسیل الکتریکی را محاسبه میکنیم. این توزیعها پایه و اساس کارکرد افزارههای نیمههادی هستند و برای محاسبه پارامترهای مختلف مانند جریان الکتریکی بکار میروند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فریده اکرمی مقدم
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش
استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :