محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,358
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_109
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، مشخصه جریان ولتاژ درMOSFETبانیم رسانایInPو لایه اکسایدAl2O3با طول گیت50nm وبا توجه به معادله ترابری بولتزمن در دو دمای 300 و400° محاسبه شده و باهم مقایسه شده است. در این شبیه سازی مدل سه دره ای و اثرات غیر سهموی بودن نوار های انرژی و همچنین عوامل پراکندگی لحاظ شده و سرعت سوق و چگالی جریان و انرژی الکترون ها در طول دستگاه در دمای300° برای ولتاژ درین1V و ولتاژ گیت مختلف محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیر اکبری
گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد
هادی عربشاهی
گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور فریمان،فریمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :