کاهش اتلاف توان و بهبود مشخصه انتقالی در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنیک های متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس های نانو و غیر نانوو کاهش ولتاژ منبع تغذیه

امروزه ناحیه تمرکز اصلی در صنعتVLSIاتلاف توان و مصرف توان تراشه میباشد فناوری اکسید – فلز – نیمه هادی های مکمل یاCMOSیک فناوری برجسته در صنعت جهانی مدارهای مجتمعIC است و به عنوان محصولاتی با اتلاف توان کم و چگالی زیاد و وسیله سوییچ کنندگی نسبتا ایده آل شناخته شده است . این ویژگی سبب شده که این مدارها دارای محاسن متمایزی نسبت به دیگر فناوری ها همچونGaAs و nMOS باشند . هم اکنون صنعت به سوی نانوتکنولوژی درحال حرکت است.این مقاله منابع اصلی اتلاف توان دینامیکی و مشخصه انتقالی را مورد تجدید قرار میدهد و برای حل این مشکل از تکنیکهای متفاوت اندازه ترانزیستوردر مقیاس نانو و کاهش من بع تغذیه بهره گرفته است

کلیدواژه ها:

توان دینامیکی ، مدار وارونگرCMOSمشخصه انتقالی ولتاژ VTCمقیاس های نانو و غیر نانو ، نرم افزار hspice