شبیهسازی راکتورهایCVD جهت تولید رسوب گالیم- آرسنیک GA-AS با استفاده از دینامیک سیالات محاسباتی
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی نفت، گاز و پتروشیمی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 584
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOGPP03_201
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1394
چکیده مقاله:
در این تحقیق، راکتورهای رسوب گذار بخارات شیمیاییCVD (Chemical Vapor Depositionبرای تهیه نانو ساختارهای نیمه رسانا گالیم - آرسنیکGA-As با استفاده از نرم افزار فلوئنت Fluent مدلسازی شده است. رسوب شیمیایی فاز بخارCVD برای رسوب فیلمهای جامد در حالت گازی روی یک سطح جامد دیگر، استفاده میشود. مواد اولیه انتخاب شده برای انجام این فرایند،گازهای تری متیل گالیم و آرسین بوده و یک مکانیسم واکنش دو مرحلهای برای تشکیل گالیم پیشنهاد شده است. نتایج مدلسازی نشان میدهد که سرعت رشد گالیم - آرسنیک به دمای دیسک گردان و سرعت چرخش زاویهای آن و همچنین به میزان آرسنیکاولیه بستگی دارد. توزیع وزن مولکولی نسبتا بالا در مرکز دیسک گردان نشان میدهد که رسوب در مرکز دیسک بیشتر از سایر نقاط است. با توجه به اهمیت اعداد بدون بعد در طراحی راکتور، توزیع اعداد رینولدز و پرانتل در این گزارش نشان داده شد که بیان میکند سرعت و حرارت هر دو عوامل اصلی در شکل گیری رسوب هستند
نویسندگان
مریم ترک زاد
دانشجوی کارشناسی مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان
مصیب زمان
استاد گروه مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :