تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان - ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,030
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_126
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی اثر تراکم الایش در لایه نوع n بربازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان - ولتاژ سلول خورشیدی همگن با ساختار p/n با مواد نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs که به روش MOVPE رشد داده شده است پرداخته ایم. مدلسازی نظری ما مبتنی بر محاسبه عرض ناحیه تهی به کمک داده های تجربی بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه I-V حاکی از آن است که با کاهش تراکم آلایش در این لایه از 17 10 به cm3- 10 15×5 پهنای ناحیه تهی در حدود 0/5 میکرون افزایش می یابد. همچنین دریافتیم این افزایش پهنا به افزایش در بازدهی کوانتومی داخلی و چگالی جریان اتصال کوتاه و نیز کاهش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی منجر می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فائزه محمدبیگی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، بلوار دانشگاه
حسین عشقی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، بلوار دانشگاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :