بررسی خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO4

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 929

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP16_200

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388

چکیده مقاله:

درا ین مقاله خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO ، از قبیل تابع چگالی حالتها، تابع دی الکتریک، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف الکتریکی محاسبه شده در این مقاله برابر 3/76 الکترون ولت و گاف اپتیکی برابر با 2/5 الکترون ولت است.

کلیدواژه ها:

تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) ، چگالی کل حالتها (Dos)

نویسندگان

جواد باعدی

گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

زهرا ابراهیمی

گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

آتنا بروغنی

گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • R.W.G. Wyckoff Crystal Structures, 2nded.vol.1 316 (Interscience Publishers, New York, ...
  • F. C. Hsu, J. Y Luo, K. W. Yeh, T. ...
  • P.Blaha, D. Singh, P. I. Sorantin and K. Schwarz, Phys. ...
  • نمایش کامل مراجع