بررسی فرکانس مرکزی و پهنای طیفی گاف <n> صفر و گاف براگ یک بلور فوتونیکی یک بعدی به عنوان حسگر دما و فشار

دراین مقاله ابتدا ماتریس انتقال برای بلورفوتونیکی شامل یک لایه با ضریب شکست مثبت و منفی محاسبه و سپس طیف تراگسیلی از ان بررسی شده است نتایج به دست آمده نشان میدهد که افزایش کاهش ضخامت لایه منفی نسبت به ضخامت سلول واحد فرکانس مرکزی گاف صفر با به فرکانسهای بالا پایین جابجا می کند و همچنین تغییر در ضخامت سلول واحد پهنای طیفی گاف صفر را تغییرداده اما پهنای طیفی گاف براگ بدون تغییر مانده است در حالیکه فرکانس مرکزی گاف براگ جابجا شده اما فرکانس مرکزی گاف صفر بدون تغییر باقی می ماند بطور کلی نتایج به دست آمده نشان میدهدکه کوچکترین تغییر اعمال شده در ضریب شکست لایه مثبت نسبت به ضریب شکست لایه منفی در اثر تغییر ات دمایی فرکانس مرکزی هر دو گاف را تغییر خواهد داد در حالیکه تغییر در ضخامت سلول واحد در اثر فشار، کشش فقط فرکانس مرکزی گاف براگ را جابجا می کند.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونیکی ، گاف <n>صفر ، گاف براگ ، ضریب شکست منفی ، تراگسیل ، حسگر