بررسی اماری سطوح لایه های نازک اکیسد ایندیوم الاییده با قلع
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 902
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_297
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
چکیده مقاله:
دراین تحقیق لایه های نازک اکسید ایندیوم الاییده با قلع ITO در ضخامتهای مختلف به روش تبخیر با پرتوالکترونی برروی بستره های شیشه ای در دمای اتاق لایه نشانی شده اند لایه های تهیه شده در شرایط فوق دمای اتاق امورف هستند ضخامت لایه های 100، 170 و 250 نانومتر می باشد توزیع ارتفاع های سطح اغلب جهت توصیف توپوگرافی سطح مور د استفاده قرا ر م یگیرد به همین دلیل با استفاده از توزیع ارتفاع ها ی سطح اغلب جهت توصیف توپوگرافی سطح مورد استفاده قرار می گیرد به همین دلیل با استفاده از توزیع ارتفاع ها که اغلب نامتقارن است مورفولوژی سطح لایه ها ی ITO درحالت امورف مورد بررسی قرار گرفتند. طبق مشاهدات حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی AFM ناهمواری سطح RMS و ناهمواری میانگین Ra با افزایش ضخامت کاهش پیدا میکنند همچنین در بررسی چولگی skewness( سطح نمونه ها مشاهده شد که با کاهش ناهمواری سطح مقادیر مثبت چولگی و پخ شدگی افزایش می یابد
نویسندگان
داود رئوفی
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه بوعلی سینا همدان
فائق حسین پناهی
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه بوعلی سینا همدان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :