بهینه سازی ضخامت های لایه پوشش ضدبازتابش در کلکتورهای خورشیدی با استفاده از الگوریتم ژنتیک

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 342

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IEAC02_275

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

پوشش های ضد بازتابش امروزه به طور گسترده ای درصنایع کاربرد دارد. یکی از مهمترین این کاربردها استفاده از آن در کلکتورهای خورشیدی به منظور جذب نور است. پوشش های مورد استفاده به منظور جذب طیف وسیعی از نور خورشید به صورت چندلایهساخته می شوند. هدف از این مقاله بهینه سازی ضخامت این لایه ها به منظور جذب حداکثر در طیف IR خورشید با توجه به شدت هر فرکانس می باشد. در ابتدا مدلسازی از جذب در پوششی با لایه های TiNx ، TiOxNy و SiO2 بر روی بستری از مس انجام شده و سپس بهینه سازی با استفاده از الگوریتم ژنتیک برای تعیین ضخامت بهینه انجام شده است.ضخامت بدست آمده برای لایه ها به ترتیب برابر با 30و17و60نانومتر می باشد

کلیدواژه ها:

چند لایه های جاذب ، مدلسازی جذب ، کلکتور خورشیدی

نویسندگان

رقیه قاسم پور

دانشگاه تهران، دانشکده علوم و فنون نوین

سیدعلی فرهمند

دانشگاه تهران، دانشکده علوم و فنون نوین