سنتز لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی تاثیر غلظت سل و پارامترهای لایه نشانی چرخشی بر روی خواص الکتریکی و نورد آن
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,625
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES05_380
تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1392
چکیده مقاله:
لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. جهت ایجاد لایه های مورد نظر، محلول سل اولیه شامل محلولهای کلرید اینیدم و کلرید قلع به همراه حلال های مناسب آماده شد. پس از مخلوط کردن محلول های و همزدن آن، سل ایجاد شده با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه در سرعت و مدت زمان معین نشانده شد. سپس لیایه ایجا شده در دمای 150 درجه سانتیگراد خشک شده و تحت عملیات آنیل در دمای 500 درجه سانتیگراد قرار گرفت. جهت بررسی نوع فازها و آنالیز شیمیایی از روش پراش پرتو اشعه نشر UV-Vis Spectrophotometer استفاده شد. آنالیز XRD نشان م یدهد که نانو ذرات اکسید ایندیم قلع دارای فاز مکعبی بیکسبیت می باشند. تصاویر FESEM بیانگر فیلم های کریستالین اکسید ایندیم قلع با اندازه ذرات کریستالی 17-40 نانو متر می باشند. همچنین نتایج نشان میدهد که فیلم های حاصل دارای شفافیت بالای 85% د رمحدوده نورد مرئی می باشند و کمترین مقاومت در غلظت سل 0/2 مولار و سرعت لایه نشانی 3000rpm حاصل شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید محمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران
حسین عبدی زاده
دانشیار، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران
محمدرضا گل و بستان فرد
دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :