طراحی گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله ی کربنی (CNTFET)

قطعات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله ی کربنی (CNTFET) ، قابلیت حرکت بالایی برای انتقال تقریبا بالیستیکی، سرعت حامل بالا برای سوئیچ کردن سریع و همچنین کنترل الکترواستاتیکی بهتر ناشی از ساختار شبه یک بعدی CNTها ارائه می دهد. در این مقاله ما با موفقیت یک مدل فشرده برای CNTFET مشابه MOSFET را بسط داده ایم. مدل CNTFET برای طراحی گیت هایی منطقی استفاده که عملکرد بالاتری از MOSFET مبتنی بر گیت های منطقی و گیت های منطقی که هم محور / هم مرکز گیت بندی شده اند، نشان می دهند. شبیه سازی های HSPICE روی گیت های منطقی طراحی شده، انجام گشته است و رفتارهای خروجی آنها به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته است. نهایتا یک مقایسه ی توان مصرفی و اندازه ی CNTFET ارائه شده در برابر CNTFET هم محور گیت بندی شده و MOSFET متداول و مرسوم مورد مطالعه قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

نانو لوله ی کربنی (CNT) ، ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) ، بردار کایرال ، مدل سازی فشرده ، گیت های منطقی ، MOSFET