طراحی تقویت کننده ی عملیاتی دیفرانسیلی کامل دو طبقه همراه با CMFB نویز پایین و بهره بالا و در تکنولوژی 0.18 μm CMOS

به طور کلی در طراحی تقویت کننده ها عوامل زیادی نقش دارند چالش اصلی در طراحی تقویت کننده ها مصالحه بین ویژگی های مهم مانند نویز و پهنای باند و مقاومت در برابر تغییرات دما و غیره می باشد. در این تحقیق با کمک یک مدار CMFB همزمان با افزایش بهره نویز کم شده و پهنای باند بالایی خواهد داشت. برای این کار از یک مدارCMFB در تکنولوژی 0.um CMOS پیشنهاد و طراحی می گردد بگونه ای که تقویت کننده ی اصلی نیز دارای بهره و پهنای باند بالایی باشد و هر دو خروجی آن سیگنال مود مشترک یکسانی داشته باشد تا بتواند بخوبی نویز را حذف نماید. از طرفی برای جبران پاسخ فرکانسی تقویت کننده ی اصلی یک مدار پیشنهاد شده که موجب ایجاد صفر بر روی قطب دوم می گردد و نشان داده می شود که روش پیشنهادی باعث بهبود قابل ملاحظه ایدر افزایش پهنای باند می گردد. طراحی در دماهای بین - 40 تا + 120 درجه ی سانتی گراد انجام شده که نشان از پایداری خوب ان نسب به دما می دهد بگونه ای که در تمامی این دماها نیازهای ما برای داشتن بهره و پهنای باند بالا و حذف نویز براورده شود.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ی دیفرانسیلی عملیاتی ، نویز ، پهنای باند ، مدارCMFB