رشد اکسید سیلیکان در دمای خیلی پایین به کمک پلاسمای اکسیژن و نانوبلورهای سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایة نازک بر بستر انعطاف پذیر
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,376
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_011
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله، برای نخستین بار، روشی برای رشد اکسید سیلیکان در دمای بسیار پایین ارایه می شود . به کمک مراحل متوالی هیدروژناسیون در محیط پلاسما و حرارات دهی، که خود روش نوینی است، لایه سیلیکان بی شکل به ساختار نانو بلور بدل می شود . با کنترل شرایط هیدروژناسیون می توان نانو بلورهایی را با اندازه متوسط دانه یک تا ده نانو متر ایجاد کرد . به کمک اکسیداسیون در محیط پلاسمای RF ، اکسیژن در بین این نانو دانه ها نفوذ می کند و به تدریج کل نانو دانه را به اکسید تبدیل می نماید . این روش می تواند جایگزین روش لایه نشانی اکسید، که عموما در ساخت ترانزیستور های لایه نازک که بر بستر انعطاف پذیر ساخته می شوند، گردد . همچن ین کیفیت اکسید رشد داده شده با آنالیزهایTEM ، SEMو آنالیز ناهمواری (Dectak) مورد بررسی قرار گرفته است.
نویسندگان
پویا هاشمی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکده ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکده ف
یاسر عبدی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکده ف
نیما ایزدی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکده ف
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :