مطالعه تاثیر آلایش هالوژن بر عملکرد ترانزیستور MOS با ابعاد نانومتری
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,531
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_129
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
تغییر مقیاس ترانزیستورهای MPSFET به منظور بهبود عملکرد ترانزیستور MOS و کاهش هزینه ساخت آن انجام می شود . با کاهش ابعاد ، آثار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترانزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند اهمیت می یابند، که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند . یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون وتبدیل ناخالصی بستر است .. ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر آثار کانال کوتاه را بهبود می دهیم .
نویسندگان
مرتضی فتحی پور
گروه مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه تهران
شیرین قنبری
گروه فیزیک دانشگاه تهران
عزت اله ارضی
گروه فیزیک دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :