نقش نیتروژن در کاهش گاف نواری نانو ساختار InGaNAs

بررسی نقش نیتروژن در آلیاژهای InGaNAs نشان می دهد که با حضور نیتروژن تراز جایگزیده ای در نوار رسانش این نیمه رسانا ایجاد می شود که با آن وارد برهمکنش شده و در اثر دافعه نواری بین آنها ، گاف انرژی کاهش می یابد . بررسی نیتروژن به عنوان یک عامل اختلال در سیستم ، با استفاده از محاسباتی بر پایه هامیلتونی k.p ، حضور دو زیر تراز انرژی شامل و E در نوار رسانش را نشان می دهد که با افزایش غلظت نیتروژن این زیر تراز ها از یکدیگر دور می شوند . همچنین در این گزارش اثرات فوق به طور تجربی واز طریق مطالعات طیف نمایی فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است و به نقش جایگزیدگی در اثر حضور نیتروژن نیز اشاره شده است که عدم تقارن طیفهای فتولومینسانس مخصوصا در دماهای پایین نشانه آشکاری از این اثر می باشد . علاوه بر این ، اثر دما نیز در کاهش گاف نواری مورد بررسی قرار گرفته است