شناسایی یک نقص کمپلکس ذاتی در نیمرسانای GaNP
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,260
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_098
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
چکیده مقاله:
این مقاله به کمک بررسی طیف های حاصل از ازمایشِ تشدید مقناطیسی آشکار شده بروش اپتیکی روی نمونه های نیمرسانای سه تایی GaNxP1-x با غلظت نیتروژن در محدوده 0.009 ≤ x ≤ 0.0 31 که بروش رو آراستی پرتو – ملکولی رشد داده شده اند ، یک نقص کمپلکس ذاتی وابسته به اتمهای نیتروژن و فسفر ، مورد شناسایی قرار گرفته است . این نقص بلوری یک ساختار فوق ریز ناشی از برهم کنش قوی با اسپین هسته یک اتم فسفر I=1/2 و همچنین اسپین هسته یک اتم نیتروژن (I=1) رانشان می دهد . طیف ثبت شده وابسته به این نقص ایزوتروپیک بوده که نشان می دهد حالت نقص بلوری وابسته دارای تقارن A1 است . بررسی شدت طیف وابسته به این نقص نشان می دهد که امکان تشکیل و ایجاد این نقص با افزایش غلظت نیتروژن درنمونه مورد مطالعه افزایش می یابد .
نویسندگان
مرتضی ایزدی فرد
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
ایرینا بایانوا
دانشکده فیزیک و سنجش اندازه گیری ، دانشگاه لینکشوپینگ ، سوئد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :