بررسی و بهینه سازی لایه های نازک نیترید سیلیکون به عنوان پوشش ضدبازتاب سلولهای خورشیدی مولتی کریستال سیلیکون با شیوه کندوپاش RF

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,714

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC85_151

تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385

چکیده مقاله:

لایههای نازک نیترید سیلیکون بر روی زیرلایههای مولتی کریستال سیلیکون با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شدهاند . لایه نشانی در محیط گاز آرگن و نیتروژن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی مبتنی بر مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد . با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییر کرده و لایههایی با خواص نوری متفاوت بدست میآید . نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوششهای ضدبازتاب نیترید سیلیکون بهینه شده به کمک آنالیز RBS بررسی شده است . از آنالیزFTIR برای بررسی خواص نوری این لایهها استفاده شده است . لایههای نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین -150 100 وات لایه نشانی شدهاند، درصد عبور نوری بسیار بالایی ) %92 در حدود شفافیت شیشههای نازک ) در طیف وسیع 300-1200 nm دارا می - باشند . لایههای ضدبازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلولهای مولتی کریستال سیلیکون را از %12 به کمتر از %2 کاهش میدهند

نویسندگان

بهزاد اسفندیارپور

آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف

ابراهیم اصل سلیمانی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف

هادی ملکی

پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی