[ گزارش اشكال در مقاله | بازگشت | جستجو | ليست كنفرانس‌ها ]

مطالعه نقش پردازش ليزري در حضور ميدان مغناطيسي ضعيف طولي در ايجاد پاسخ امپدانسي CoFeSiB نامتقارن نوارهاي آمورف كبالت پايه  Fulltext 

[ مجيد قناعت شعار ] - پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي
[ نجمه نبي پور ] - پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي
[ محمدمهدي طهرانچي ] - پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي
[ سيده مهري حميدي ] - پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي

خلاصه مقاله:

پاسخ امپدانسي نامتقارن (AMI) به دليل بهبود بيشتر كارايي حسگرهاي ميكرومغناطيسي از نظر حساسيت ميداني و خطي بودن داراي اهميت بسيار است . اين رفتار براي نوارهاي آمورف Co68.15Fe 4.35Si 12.5B15 پردازش شده با ليزر پالسي Nd:YAG با طول موج 1064 nm و با تغيير پارامتر نرخ تكرار پالس، در هوا و طي اعمال ميدان مغناطيسي طولي 3 Oe بررسي شده است . نتايج نشان دهنده آن است كه عليرغم برخورداري نمونه خام از مقدار ناچيز ضريب نامتقارني ، رفتار پاسخ امپدانسي نامتقارن در نرخ تكرار پالس مختلف به يك شكل ظاهر نمي شود؛ در حاليكه با اعمال ميدان مغناطيسي ضعيف حين پردازش ليزري رفتاري همسان به صورت القاي ميدان ناهمسانگردي ديگري در نمونه ها و ظهور عدم تقارن در منحني MI حول ميدان مغناطيسي صفر ديده مي شود . تفاوت در پاسخ امپدانسي نامتقارن در نرخ تكرار پالس ليزري را مي توان به ناهمسانگردي متفاوتي كه به ازاي شرايط پردازش مختلف حاصل مي شود، نسبت داد .