اثر DMF برساختار تخلخلی سیلیکان متخلخل

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,249

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_050

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

استفاده از DMF ( دی متیل فرمامید ) در محلول الکترولیت شامل اسید HF باعث ایجاد ساختار تخلخلی بـر روی پایـه هـای سـیلیکان تـک کریـستالی نـوع p- گردید. تصویرهای SEM نشان داد استفاده از DMF منجر به شکل گیری منظم تخلخل و ستونها می شود . تاثیر پارامترهای آندیزاسیون مانند چگالی جریان در حضور DMF و عدم حضور آن در محلول الکترولیت بر روی ساختار تخلخلی نمونه ها بررسی شد . نتایج نشان داد که افزایش چگال ی جریان در هردو حالت باعث افزایش تخلخـل مـی گردد . لیکن این تاثیر در حضور DMF بسیار واضح تر می باشد . اندازه گیری درصد تخلخل نمونه ها با روش وزن سنجی ) ) gravimetric method نیز نشان داد که . استفاده از DMF باعث ایجاد تخلخل دقیق تری در نمونه ها می گردد

نویسندگان

ایرج بزرافکن

گروه فیزیک دانشگاه قم

رضا ثابت داریانی

گروه فیزیک دانشگاه الزهرا

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • L. Canham; *Properties of Porous Silicon"; INSPEC, London _ "Electrochemistry ...
  • A. Uhilir, Bell Syst. Technl. J. 35, 333 (1956). ...
  • Z. Fekih, F. Z. Otmani, N. Ghellai, N. E. Chabanne- ...
  • V. G. Litovchenko, T.I. Gorbayuk, V.S. Solntsev, A.A. Evthkh, Appl ...
  • T.I. Gorbanyuk, A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, V.S. Solnsev, E.M. Pakhlov, ...
  • نمایش کامل مراجع