بررسی اکسایتونها در چاههای کوانتومی دوگانه AlxGa1-xN/GaN
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,188
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_076
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی اکسایتونهای مستقیم و غیر مستقیم در ساختار چاه کوانتومی دوگانه AlxGa1-xN/GaN پرداخته شده است . انرژی بستگی اکسایتونی(Binding Energy) با تغییر پارامترهای موثر در ساختار مانند عرض سد پتانسیل و درصد آلمینیوم نمونه ( عمق چاه ) محاسبه شده است . همچنین اثر میدان الکتریکی روی انرژی بستگی اکسایتونهای این ساختار مطالعه شده است و نتایج محاسبات نشان می دهد با افزایش میدان انرژی بستگی کاهش می یابد که بیانگر تبدیل اکسایتونهای مستقیم به غیر مستیم است .
نویسندگان
سارا صفا
پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز