ساختار نواري تك لايه هاي InxGa1-xNyAs1-y و بررسي خصوصيات اپتيكي آنها  Fulltext 

[ مريم غلامي ] - دانشگاه آزاد اسلامي واحد دامغان ،گروه فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود
[ حميد هراتي زاده ] - گروه فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، انستيتوي فيزيك و تكنولوژي سنجش دانشگاه لينشوپينگ، لينشوپينگ، سوئد

خلاصه مقاله:

عنصر كوچك ن يتروژن به دليل الكترونگاتيوي بالا، با مشاركت در ساختار InGaAs عامل اساسي خصوصيالت جالب اپتيكي ساختارهاي InGaNAs مـ ي باشـد . در درصد مورد بررس ي قرار گرفته است و نتا يج حاصل ب ا استفاده از ط يف نمـا يي فتولوم ينـسانس ن يـ ز 1 و 0/7 با مقدار نيتروژن InGaNAs اين مقاله ن يز تك لا يه ها ي نشان داده شده است . از جمله آن كاهش گاف نوار ي تك لا يه با حضور ن يتروژن است كه بد ين ترت يب م ي توان با تغيير ميزان نيتروژن، در گستره طول مـوجي مـورد احتياج براي ارتباطات مخابراتي از طريق فيبر نوري ( محدوده 1/3-1/55 ميكرون ) ، گسيل نوري داشته باشيم و به عنوان يك پارامتر فعال، درصد نيتـروژن بـه همـراه نوع ساختار اين نيمه رسانا، تغييرات طول موجي را براي ما امكان پذير مي سازند . علاوه بر اين، به دليل ناهموتريهاي سطحي بـه وجـود آمـده در سـاختار ، از بـازده نوري نمونه كاسته م ي شود . همچن ين حضور افت و خ يزهاي سطح ي جايگزيدگي اكس يتونها را ن يز سبب م ي شود كه با استفاده از تغ ييرات شدت نـور گـس يلي مـ ي توان به حضور آنها پي برد