تاثیر گرم کننده جانبی فعال روی میدان های دما و تنش گرمایی در بلور sapphire در رشد به روش چکرالسکی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,209
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_282
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
چکیده مقاله:
تاثیر یک گرم کننده جانبی فعال روی میدان دما در یک بلور sapphire در حال رشد از مذاب، بوسیله حل معادله هدایت گرمایی از طریق محاسبات عددی و برخی ملاحظات تجربی مورد بررسی قرار می گیرد . نشان داده می شود که در سیستم دارای گرم کننده جانبی فعال ( رسانا ) ، تغییرات میدان دما نسبتا خطی بوده و گرادیان محوری دما روی محور تقارن بلور، مقدار نسبتا ثابتی دارد . در این حالت، تنش های گرمائی کمتری در بلور رشد یافته بوجود می آید
نویسندگان
محمدحسین توکلی
همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبداله اجاقی
همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
ابراهیم ممیوند
همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک