|
ساختار الكتروني MgB2 تحت اعمال فشار Fulltext
نويسندهگان:
[ مهدي حسيني ] - آزمايشگاه تحقيقاتي مغناطيس (MRL) ، دانشكده فيزيك دانشگاه، صنعتي شريف [ علي توانا ] - آزمايشگاه تحقيقاتي مغناطيس (MRL) ، دانشكده فيزيك دانشگاه، صنعتي شريف [ محمد اخوان ] - آزمايشگاه تحقيقاتي مغناطيس (MRL) ، دانشكده فيزيك دانشگاه، صنعتي شريف
خلاصه مقاله:
محاسبات ابتدا به ساكن پتانسيل كامل در تقريب شيب تعميم يافته براي سيستم MgB2 انجام شده است . اثر فشار هيدروستاتيكي -15 تا 40 گيگا پاسكال به همراه بررسي مجزاي اثرات تغييرات در ثابتهاي شبكه MgB2 بر ساختار باند و چگالي حالتهاي اين ماده انجام شده است . نتايج نشان مي دهد كه با اعمال فشار چگالي حالتها در سطح فرمي كاهش مي يابد و نيز با بررسي ساختار نواري اينگونه انتظار مي رود كه دماي گذار ابررسانايي كاهش يابد . همچنين با تغيير پارامترهاي شبكه به طور كلي چگاليحالتها كاهش مي يابد به جز به ازاي افزايش كمي در پارامتر a كه باعث افزايش چگالي حالتها مي شود .
كلمات كليدي:
[ لينک دايمي به اين صفحه: http://www.civilica.com/Paper-IPC86-IPC86_289.html ]
|