اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,101
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_064
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
آرایه ای از نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت ac نامتقارن درون قالب آلومینای آندی با لایه سدی ضخیم رشد داده شد. ولتاژهای احیا واکسیداسیون مختلفی با مقادیر :(28-28)، (26-28)، (22-26) ،(24 - 26) ،(26 -26) ،(22-28) ،(24-28)، ( 24 -24) و (24-22).اعمال گردید . بررسی ها نشان داد تغییر در ولتاژ اکسایش نسبت به ولتاژ احیا سبب تغییر در ساختار بلوری ، انداره دانه ای ، خواص مغناطیسی و آهنگ رشد می گردد به طوری که بیشینه و کمینه نیروی وادارندگی (1776 و 697/5 اورسند) به ترتیب به ازای ولتاژهای احیا واکسیداسیون (28-24)و(26-24) حاصل شد ،هم چنین مشاهده شد همراه با افزایش نیروی وادارندگی، آهنگ رشد کاهش می یابد.
نویسندگان
مریم غفاری
دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
محمد الماسی
دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان
عبدالعلی رمضانی
دانشکده علوم، گروه فیزیک، دانشگاه کاشان