مطالعه خواص مغناطیسی نانو ساختارهای آهن رشد یافته بر روی Si(111) , Si(100)
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 956
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_110
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن بر روی زیر لایه هایی از جنس سیلیکون ( 100 ) و ( 111 ) به کمک تکنیکهای میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) مغناطش سنجی گرادیان نیروی متناوب (AGFM) مورد مطالعه قرار گرفته است. با استفاده از نقش حوزه های مغناطیسی در تصاویر MFM منحنیهای پسماند مغناطیسی حاصل از تکنیک AGFM، خواص فرومغناطیسی نمونه ها، گزارش شده است. درچند تصویر، نواحی تاریک و روشن مطابق با حوزه های مغناطیسی مربوط به اسپین های هم جهت، به سمت پایین و بالا نمایش داده شده، بطوریکه محدوده ای بین 4-2 میکرومتر را برای پهنای حوزه ها در لایه های آهن با ضخامت 100 نانومتر می توان تخمین زد. همچنین از روی منحنی های پسماند، میدان وادارنده ای به میزانOe 100 برای نمونه ها بدست آمده و در مورد ناهمسانگردی با توجه به کاهش مغناطش آهن بواسطه نفوذ به داخل زیر لایه، بحث شده است.
نویسندگان
عبدالعلی ذوالانواری
گروه فیزیک دانشگاه اراک
جعفر نظام دوست
گروه فیزیک دانشگاه اراک - جهاد دانشگاهی
حسین صادقی
گروه فیزیک دانشگاه اراک