کاربرد تکنیک خطی سازی در بررسی ساختار نواری بلورهای فوتونی بر پایه نیمرساناهای قطبی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,074
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_031
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار نواری بلورهای فوتونی دوبعدی ساخته شده از مواد نیمرسانای قطبی با ثابت دیالکتریک وابسته به فرکانس، بطور نظری با استفاده از روش بسط موج تخت و بکارگیری تکنیک خطی سازی محاسبه میشود و تاثیر گاف پلاریتون مواد نیمرسانای قطبی بر نوارهای ممنوعه فوتونی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد که موقعیت و پهنای نوارهای ممنوعه فوتونی بطور قابل توجهی نزدیک گاف پلاریتون ( که تغییر ناگهانی تابع دیالکتریک ظاهر میشود) تغییر میکند.
نویسندگان
سیدمرتضی زاهدی دیزجی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز- پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دا
علی سلطانی والا
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز- پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دا
منوچهر کلافی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز- پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دا