فشاربستگی فرآیند ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون با استفاده از تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,187
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_110
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
اگر لیزر کانونی UV در مجاورت گاز SF6 بر سطح سیلیکون بتابد و نقطه کانونی در نزدیکی سطح باشد به علت جذب بالای سیلکون در طول موجهای UV با پدیده ذوب سطحی و همزمان با آن پدیده تشدید امواج سطحی مواجه هستیم. ظاهرا به همین علت است که بر سطح سیلیکون میکروساختاری با شکل منظم و عنصر تکراری مخروط ایجاد می گردد. در خواص هندسی عناصر تشکیل دهنده میکروساختار منظم خود انگیخته فشار گاز SF6 نقش اساسی ایفا می کند در این مقاله این نقش به صورت تجربی و نیز با ارائه مدلی مناسب به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است.
نویسندگان
حمیدرضا دهقانپور
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
پرویز پروین
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
بتول سجاد
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا ، تهران
امین بصام
دانشگاه صنعتی مالک اشتر پردیس تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :