مقایسه ی رشد ترجیحی فیلمهای اکسید روی با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کند و پاش با بسامد رادیویی

فیلم های نازک ZnO بر روی بسترهای شیشه ای با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کند و پاش با بسامد رادیویی رشد داده شدند. اثر بازپخت هم در خلأ و هم در هوا بر رشد ترجیحی فیلم های تهیه شده به روش اول بررسی شدند. برای بررسی جهت رشد فیلم ها، الگوی پراش پرتو ایکس همه ی نمونه ها تهیه شدند. این الگوها نشان میدهند که میتوان با روش کند و پاش بدون بازپخت، فیلم های اکسید روی با جهت گیری ترجیحی ( 002 ) تهیه کرد. رشد در این جهت، یکی از شرط های لازم برای بروز اثر پیزوالکتریک در این فیلم هاست که کاربردهای بسیاری دارند.