خواص لایه ی میانی فلز و نانولوله های کربنی در ترانزیستورهای CNTFET
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,218
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_377
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله، مدلی محاسباتی برای مطالعه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله (CNTFETs) ارائه میدهیم . CNTFET ها می توانند به دو صورت تماس اهمی و یا تماس شاتکی ساخته شوند. ما محاسبات خود را بر پایه ی ترانزیستورهای نوع شاتکی قرار داده و کار آنها را بر اساس ضریب عبور حامل ها از سد شاتکی ( در سطح مشترک فلز و نانولوله ی کربنی نیمرسانا) در نظر گرفته ایم. در روش محاسباتی ارئه شده،از معادله لاندائو بوتینگر استفاده نموده و تغییرات جریان را بر حسب ویژکی های کانال، ولتاژ و دیگر پارامترها بدست آورده ایم.
نویسندگان
سیده مژده سیده مژده
دانشگاه مازندران دانشکده علوم پایه گروه فیزیک
هادی عربشاهی
دانشگاه فردوسی - دانشکده علوم پایه گروه فیزیک