آنالیز و شبیه سازی مشخصات الکتریکی و دمایی ترانزیستورهای SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم

در این مقاله مشخصات الکتریکی وعملکرد دمایی ترانزیستور های SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم تجیه و تحلیل و با ساختار های مشابه مقایسه شده است. استفاده از نیترید سیلیسیم با هدایت گرمایی بالاتر نسبت به اکسید سیلیسیم مهمترین ویژگی ساختار ترانزیستور های SOI-MOSFET چند لایه ای می باشد. نتایج بدست آمده نشان می دهند که در ساختار ارائه شده به ازای بایاس هایمتفاوت گیت از کاهش جریان درین در کانال جلوگیری شده و مشخصات خروجی بهبود می یابند. علاوه بر این دمای کانال و مقاومت دیفرانسیلی منفی نیز در دماهای بالا کاهش یافته و بهبود اثرات خودگرمایی را تایید می کنند. بنابراین با ستفاده از این ساحتار نوین می توان انتظار داشت که تکنولوژی SOI همچنان به عنوان یکی از تکنولوژی های مطرح در صنعت الکترونیک به ایفای نقش بپردازند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، اثر خود گرمایی ، تکنولوژی سیلیسیم روی عایق ، نیترید سیلیسم