طراحی یک تقویت کننده کم نویز CMOS برای استاندارد EGSM

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,367

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE12_211

تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS با استفاده از تکنولوژی TSMC.18 برای استاندارد EGSM پیشنهاد می شود و پس از آنالیز ، شبیه سازی خواهد شد. مدار شبکه مچینگ این تقویت کننده با استفاده از شبکه مچینگ فیدبک خازنی به منظور تقویت کنندگی باند فرکانسی 925 مگاهرتز تا 960 مگاهرتز طراحی می شود. این تقویت کننده کم نویز دارای بهره 13/2dB ، نویز فیگر 0/7 dB ، تلفات برگشتی ورودی کمتر از 13-dB و تلفات برگشتی خروجی کمتر از 20-dB می باشد. جریان مصرفی این تقویت کننده با منبع تغذیه 1/8V برابر 3/01mA است و توان مصرفی آن 5/4mW می باشد.

کلیدواژه ها:

بهره ، تقویت کننده کم نویز CMOS ، شبکه مچینگ فیدبک خازنی ، نویز فیگر

نویسندگان

احمد بحرینی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر

حسین قرایی

دکترای مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه تربیت مدرس

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • T.H.Lee, The design of CMOS integrated circuits. Cambridge Univ Press, ...
  • Razavi, RF Microelectron ic. Upper saddle river, NJ: Prenti ce-Hall, ...
  • D. K.Shaeffer and T.H.Lee, ،A 1.5V 1.5GHz CMOS Low Noise ...
  • W.Hung, ، A broadband RF CMOS front-end for multi -standard ...
  • نمایش کامل مراجع