شبیه سازی ترانزیستورهای InAs/AlSb HEMT
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 7,246
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_227
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای HEMT ادوات مناسبی برای کار در فرکانسهای بالا وکاربردهای توان پایین می باشند که امروزه حجم وسیعی از مطالعات را به خود اختصاص داده اند.در این مقاله یک ترانزیستور InAs / AlSb HEMT با استفاده از معادلات موازنه انرژی و با در نظر گرفتن اثرات کوانتومی شبیه سازی شده و نمودارهای I-V و gm در ولتاژهای مختلف برای آن بدست آمده است که حداکثر مقدار gm در ولتاژ (فرمول در متن اصلی مقاله) ولت 4700 بدست آمده است که نشان دهنده کاربرد این ترانزیستور در فرکانسهای بالا می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :