بررسی اثر عایقهای گیت پلیمری بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با استفاده از شبیه سازی افزاره
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,360
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_036
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
کارایی ترانزیستور های اثر میدانی الی در حال پیشرفت روزافزون است این پیشرفت مرهون مطالعات و تحقیقات انجام شده در زمینه های ساخت ، مدلسازی و شبیه سازی این ادوات می باشد دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با عایقهای گیت آلی مختلف شامل Polyimide , parylene-C,PMMA,PVP,CyEP شبیه سازی شده و عملکرد این ترانزیستور ها با پارامترهایی نظیر موبیلیتی اثر میدانی، ولتاژ آستانه، سوئینگ زیراستانه بیان میگردد. اثر عایقهای گیت مختلف و سطح مشترک عایق / ماده الی نیز بر مشخصات ترانزیستور های الی بررسی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آمنه بازیار
دانشگاه شهید بهشتی
محمدجواد شریفی
دانشگاه شهید بهشتی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :