روشی جدید در طراحی و شبیهسازی سوئیچ MEMS در باند فرکانسی X با تلفات کم و ایزولاسیون زیاد

در این مقاله طراحی و شبیهسازی سوئیچMEMS موازی با تلفات کم و ایزولاسیون زیاد در باند فرکانسی X ارائه شده است. خط انتقال مورد استفاده Conductor – backed CPW میباشد. شبیهسازی سوئیچ با نرمافزار HFSS در حالت up-state افت بازگشتی (Return Loss) 24/2dB ) در فرکانس 10GHz و Insertion Loss 0/005dB را در باند X نشا ن میدهد همچنین در حالت down –state سوئیچ دارای ایزولاسیون 4/6dB در فرکانس 10GHz و Insertion Loss در حدود 0/05dB در باند X است اندوکتانس اضافی مورد نیاز در سوئیچ MEMS باند X بصورت Inductive Tuning محاسبه شده است.

کلیدواژه ها:

باند X ، تلفات کم ، سوئیچ MEMS ، Inductive Tuning