ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,029
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_036
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
چکیده مقاله:
دراین گزارش قصد داریم تا در ابتدا مراحل ساخت افزاره ldmos را تشریح کرده و در ادامه تاثیر عوامل ساخت در ناحیه n-drift را درا یجاد ولتاژ شکست بالا مورد بررسی قرار دهیم دراین افزاره می بینیم نحوه ساخت و طراحی بگونه ای انجام شدها ست که همزمان با ایجاد یک ولتاژ شکست بالا مقاومت حالت روشن کم بوده و جریان دارای مقدار قابل قبولی خواهد بود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدمهدی علامه
دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :