Effect of Process Parameters on Electrical Properties of Chromium thin films deposited on ITO substrate by Rf sputtering through Solar cells
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,888
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_045
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
چکیده مقاله:
In order to obtain a suitable ohmic contact with the lowest resistivity, Chromium (Cr) thin films were deposited on transparent conductive oxide indium tin oxide (ITO) by RF sputtering method in argon atmosphere and its electrical properties were optimized. The deposition of Cr thin film has been performed for the layers with thickness of 150, 300 and 600 nm in constant Ar gas flow of 30sccm. Results show that the lowest contact resistivity belongs to the layer with 600 nm thickness. Furthermore Cr/ITO has been studied for five different Rf power of 100,150,200,250 and 300 W while the deposition with constant thickness of 600 nm Cr, which gave us the lowest contact resistivity. Experimental results show that the best specific contact resistance achieved at Rf power of 150W with amount of 4.7×10-2 cm2.The prepared samples were characterized using a field emission scanning electron microscope
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Elahe Akbarnejad
Azad Islamic University of Iran-Center Tehran Branch, Tehran, Iran
Ebrahim Asl Soleimani
Thin film laboratory, ECE Department, University of Tehran, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :