تاثیر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس In0.017Ga0.983N بر روی عملکرد سلول خورشیدی تک اتصالی مبتنی بر In0.2Ga0.8N
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,096
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_056
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا به بررسی تأثر ی ضخامت بیس و امی ر ت یک سلول خورشیدی In0.2Ga0.8N می پرداز م ی و ضخامت مناسب را برای رسیدن ه ب بازدهی بیشینه سلول خورشیدی بدست می آور م ی. سپس لایه پنجره و میدان سطح پشتی In0.017Ga0.983N به سلول اضافه می گردد و اثر آن را بروی عملکرد سلول مطالعه می نماییم. در نهایت مقایسه ای بین دو وضعیت فوق الاشاره ارایه می گردد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مرتضی فتحی پور
دانشگاه تهران
فواد یزدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
احمد تقی نیا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :