کاهش اثر خودگرمایی و مقاومت دیفرانسیل منفی در افزاره ی SOI-LDMOS
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 902
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_174
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره یSOI-LDMOS می پردازیم. . طول بهینه ی پنجره سیلیسیمی را بدست آورده وسپس با استفاده از تکنیک ایجاد پنجره سیلیسیمی در اکسید مدفون، نشان خواهیم داد که اثر خودگرمایی به میزان 12/34 درصد کاهش می یابد و نشان می دهیم و این مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد. همچنین در ادامهبه تاثیر استفاده ازSi3N4به جایSio2در لایه مدفون بر روی اثر خودگرمایی خواهیم پرداخت.
کلیدواژه ها:
افزاره ی SOI-LDMOS افزارهSOI-LDMOSبا پنجره ی سیلیسیمی ، خودگرمایی ، فرکانس قطع ، مقاومت دیفرانسیل منفی
نویسندگان
رسول بخشی
دانشگاه تهران، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :