بررسی و بهبود تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه SMC
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 742
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_038
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه - SMC با بار خازنی بزرگ ) 25KΩ//120PF ( معرفی شده است. جهت بررسی و اثباتکردن برتری ساختار پیشنهادی نسبت به ساختارهای میلری همتای خود چندین شبیه سازی با استفاده از نرم افزار Hspice در مدل 0.25μm و 0.18μm صورت گرفته است. در تقویت کننده SMC هدف ما رسیدن به حاشیه فاز بالا در یک پهنای باند وسیعی بوده است ضمن اینکه از بهره DC بالایی برخوردار باشد که در نهایت توانستیم در تکنولوژی 0.25um º به حاشیه فاز 75 در پهنای باند بهره واحد - GBW=6.3MHZ برسیم . استفاده از تکنولوژی 0.18μm باعث بهبود پاسخ فرکانسی و پاسخ گذرا مدار می شود. نتایج نشان می دهد تقویت کننده دارای GBW=12.3MHZ ، حد فاز 75º ، سرعت چرخش مثبت)منفی( 3.7(5.18) V/μs ، زمان نشست مثبت)منفی( 0.287(0.15) μs و توان مصرفی 0.335mW می باشد که معیار شایستگی (FOM) عملکرد مطلوب این طراحی را نسبت به تکنولوژی 0.25μm و سایر روش های جبران سازی را نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا اسمعیلی مزیدی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
محمود آل شمس
عضو هیت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
محسن ایمانیه
عضو هیت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :