طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده 2.5 Gb/sتوان مصرفی کم

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 776

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE16_095

تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی – (TIA) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه گردیده است.مدار (TIA) ارائه شده بافناوری CMOS 90nm طراحی و با نرم افزار HSpice شبیه سازی شده است.تقویت کننده ی پیشنهاد شده دارای ساختار سه طبقه سورسمشترک بوده و به منظور افزایش پهنای باند از تکنیکهای (Inductive Peaking) و (Capacitive Degeneration) به طور همزمان استفاده شدهاست که پهنای باند تقویت کننده را به GHz 2/70 رسانده است. بهره ی تقویت کننده dB 66 بوده و توان مصرفی آن با یک منبع تغذیه ی یک ولتفقط μw 931 می باشد که نسبت به کارهای گذشته بی نظیر است.نتایج حاکی از آن است که این تقویت کننده پیشنهادی برای استفاده درمخابرات نوری با نرخ داده 2.5 Gb/s بسیار مناسب می باشد.

کلیدواژه ها:

گیرنده مخابرات نوری ، تقویت کننده امپدانس انتقالی ، فناوری CMOS ، توان مصرفی کم

نویسندگان

احمد موری زاده خاکی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مسعود عمومی

دانشگاه صنعتی اصفهان

ابراهیم برزآبادی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :