یک تقویت کننده کمنویز دیفرانسیلی محدوده گیگاهرتز یکپارچه بهبود یافته

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 439

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE18_008

تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک توپولوژی نوین low noise amplifier دیفرانسیلی با figure of merit و همچنین مصرف توان بهبود یافته ارائه شده است. این روش بر اساس یک طرح ترانسکانداکتوری جدید با قابلیت طراحی آسان است، که در آن، مسیر جریانهای ac و dc عبوری از سلفهای خطی ساز و بایاسینگ مدار از هم جدا شده اند. کاربرد توپولوژی پیشنهادی در طراحی ساده یک low noise amplifier دیفرانسیلی یکپارچه از نوع cmos در محدوده فرکانسی گیگاهرتز بررسی شده است. برای ارزیابی طرح پیشنهادی و مقایسه آن با کارهای اخیر، از نتایج شبیه سازی با استفاده از کیت طراحی CMOS 180nm TSMC RF استفاده شده است.

نویسندگان

رسول آجرلو

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند

حمیدرضا صدرمنوچهری نائینی

استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند