مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی

ترانزیستورهای نانووایر سیلیکانی می توانند با قطری در حدود چند نانومتر و با شکل های استوانه ای، مستطیلی و یا مثلثی تولید شوند. این ترانزیستورها می توانند بعنوان بلوک های اصلی برای قطعات نانوالکترونیک مانند ترانزیستورهای اثر میدان مورد استفاده قرار بگیرند.در این مقاله عملکرد نانو ترانزیستور ساختار ترانزیستور Si NWFET با نرم افزار سیلواکو، و بررسی تاثیر پارامترهای ساختار از جمله ضخامت لایه ی اکسید، ضخامت لایه ی نانووایر، میزان ناخالصی و غیره، می پردازیم و یک ساختار بهینه برای Si NWFET ارائه می کنیم. مدل سازی و در نهایت ساختار پیشنهادی از لحاظ ابعاد و پارامترهای فیزیکی بهینه سازی خواهد شد که این کار با نرم افزار سیلواکو انجام خواهد شد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانووایر سیلیکانی ، گیت ها ی منطقی ، مدل سطح مدار ، پارامترهای فیزیکی