بررسی اثر ایندیوم Indium-doped در فیلمهای نازک SnO2 ساخته شده به روش سل ژل

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,077

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE07_075

تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387

چکیده مقاله:

لایه های نازک نیمه هادی شفاف sno2 به روش های مختلف از جمله اسپری پایرولیزز تبخیر حرارتی، CVD ، اسپاترینگ تهیه می شود. در این مقاله مشخصه های فیلم نازک تهیه شده sno2 به روش sol-gel به وسیله تفرق پرتو x ، مورد ارزیابی قرار گرفت . همچنین، میزان اثر هال و مقدار جذب و عبور در ناحیه مرئی مورد بررسی قرار داده شد . اندازه گیری اثر هال نشان داد که نوع هدایت لایه بستگی زیادی به فرآیند گرمادهی (0/25>In/Sn) دارد. در مورد درصد وزنی In/Sn کوچک تر از 0/25 و عملیات گرمادهی بالای 430 درجه سانتیگراد لایه نوع P است، در حالیکه در مورد فرآیند گرمادهی کوچک تر از 430 درجه سانتیگراد فیلم نوع n است . مشخص شد، نقطه اپتیمم دمایی برایsno2 نوع p ، حدود 520 درجه سانتیگراد است و در این دما بیشترین تمرکز حفره را وجود دارد. اندازهگیریها نشان داد که فیلم با درصد وزنی 0/35 > In/Sn دارای هدایت نوع n است. در مورد درصد وزنی حدود 0/3 تشخیص نوع n و p قدری دشوار و مشکل است و در حقیقت به عنوان یک نقطه بحرانی برای گذار از نوع p به نوع n است . آزمایش های XRD نیز نشان داد که همه فیلم ها با تمرکز 0/4>In/Sn دارای ساختار هگزاگونال است. برای درصد وزنی 0/25 >In/Sn و عملیات گرمادهی بالای 430درجه سانتیگراد لایه نوع p لازم است. در حالی که با همین درصد ناخالصی در فرآیند گرمادهی کوچکتر از 430 درجه سانتیگراد لایه نوع n لازم است.

کلیدواژه ها:

لایه نازک قلع ، ناخالصی ایندیوم ، نیمه هادی شفاف نوع n و p

نویسندگان

محمود رضایی رکن آبادی

گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

حنانه کیوان

گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

مریم داوری

گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ ه= _ _ 500 1000 1500 2000 ...
  • % 10% 5% 1% ا درصد In در _ Sn ...
  • B. G. Lewis, D. C. Paine, M.R.S. Bull. 25 (8), ...
  • L. Tamisier, A. Carani, Electrochim. Acta32 (1987) 1365. ...
  • J. E. Costellamo, Handbook of Display Technology, Academic Press, New ...
  • K. L. Copra, S.R.Das, Thin film solar cell, Plenum Press, ...
  • L. I. Maissel, R. Glang (E ds.), Hand Book of ...
  • P. M. Phillips, Y. Li. Z. Bi, Appl. Phys. A ...
  • S. SHanTHi, C, subramanin, P. Ramasamy. Cryst. Res. Technol. 34, ...
  • Z. Nabi, A. Kellou, A. Khalfi, N. Benosman, Mater. Sci. ...
  • A.Arnaud, J. Non-cryst. Solids 218, 12 (1997). ...
  • _ _ _ ......] _ 3400 _ _ 3010 ا ...
  • 500 1000 1500 2000 2500 Wavelength (nm) ...
  • نمایش کامل مراجع