مطالعات رسانندگی و اختلاف سطح در مواد سه گانه CuInTe2 و CuInSe2 پلی کریستالی به صورت لایه های نازک همراه با ناخالصی اندیم

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,011

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE07_083

تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387

چکیده مقاله:

مطالعات برای هر دو مواد به صورت نوع p پلی کریستالی بوده که اثر افزونی (درصد ی) اندیم به استیوکیومتری این مواد نشان داده که قابلیت هدایتی این گونه لایه ها بالا رفته وبا استفاده از تغییرا ت ضریب هال RH ، حرک هال μ H ، در دماهای مختلف و میدان های مختلف دریچه مورد بررسی قرار گرفته درp-CuInTe2 مشاهده شده است RH با افزایش دما را می توان به این واقعیت نسبت داد که سهم ناشی از پتانسیل مرز دانه ها 170k o به بالا شروع شده در حالی که با افزونی درصد اندیم این لایه ها مقادیر ضریب هال به ترتیب در گستره های دمایی پایینk o 200-70 ثابت باقی می ماند. و در مواد p– CuInSe2 مشاهده شده که نوع لایه هایی که استیوکیومتری هستند اثر هال دیده نشده اما با فزونی اندیم به این مواد مقادیر RH به بالای 150k o سهم ناشی از پتانسیل مربوط به دانه ها همواره دیده شده و همچنین مقادیر تحرک هال μ H در لایه های فوق مورد مطالعه قرار گرفته اند.

نویسندگان

مسعود دشتیانی

دانشکده علوم پایه، دانشگاه هرمزگان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • L.L. Kazmerski and S. Wagner, Current Topics in photo- voltaics ...
  • H. Neumann, D. Peters, B. Schumann, and G. Kuhn, Phys. ...
  • R.W. Birkmire, L.C. Dinetta, P.G. Lasswell, J.D. Meakin, and J.E. ...
  • R.R. Arya, T. Warminski, B.R. Beaulieu, M. Kwietniak, and J.J. ...
  • J.D. Meakin, R.W. Birkmire, L.C. Dinetta, P.G. Lasswell and J.E. ...
  • J.L. shay, S. Wagner, and H.M.Kasper, Appl. Phys. Lett. 27, ...
  • L.L. Kazmerski, F.R. White, and G.K. Morgan, Appl. Phys. Lett. ...
  • Y. Kokubun and M. Wada, Japan. J. Appl. Phys. 16, ...
  • N.V. Joshi and H. Aguilar, J. Phys. Chem. Solids 43, ...
  • M.J. Thwaites, R.D. Tomlinson, and M.J. Hampshire, Solid State 11- ...
  • L.L. Kazmerski, Inst. Phys. Conf. Ser.12- 35, 217.(1977). ...
  • S.M.Wasim, G. Marcano, and G.S. Porras, Japan. J. Appi Phys. ...
  • V.K. Gandotra, K. V. Ferdinand, C. Jagadisl, A. Kumar and ...
  • S.M. Wasim, G.S. Porras, and R.D. tomlinson, phys. stat. sol. ...
  • S.M. Wasim and J.G. Alboranos, Phys. stat. sol. (a) 110, ...
  • L.L. Kazmerski and Y.J. Juang, J. Vacuum Sci. Technology 14, ...
  • A.L. Dawar, Anil Kumar, R.P. Mall, and P.C. Mthur, Thin ...
  • E.H, Putley. Hall Effect and S emiconductor Physics, Dover Publ.. ...
  • L.I. Maissel and R. Glang, Handbook of Thin Film Technology, ...
  • L.L. Kazmerski, M.S. Ayyagari, G.A. Sanborn, F.R. White and A.J. ...
  • C. Rincon and S.M. Wasim, Phys. Stat. Sol. (a), 81 ...
  • H. Neumann, E. Nowak and G. Kuhn, Cryst. Res. Tech. ...
  • B.R. Sethi and P.C. Mathur, Phys. Stat. Sol. (a) , ...
  • H.H. Weidler and J.A. Corrall, J. Appl. Phys. , 36, ...
  • H.H. Weidler, Solid State Elect, 9. 373 (1966). ...
  • P.C. Mathur, O.P. Taneja, H.V. Hrishna and A.L. Dawar, Phys. ...
  • D. Lemoine and J.Mendolia, Phys. Lett., A82, 418 (1981). ...
  • N.F. Mott and E.A Davis, Electronic Processes in Noncry stalline ...
  • B.R. Sethi, M.Dashtiani, O.P. Sharma and P.C. Mathur, Phys. Stat. ...
  • M.Dashtiani, O.P. Sharma, B.R. Sethi, 3rd International Conference and ... ...
  • H. Neumann, R.D. Tomlinson, E. Nowak and N. Avgerinos, Phys.Stat. ...
  • l.49 28 220/204 48. 9^ 24 116/312 ...
  • at% _ In 25 . 20 65 112 36 41.4^ ...
  • نمایش کامل مراجع